Le SI4431BDY-T1-E3 est un MOSFET canal P à faible R<sub>DS(on)</sub> (≈ 0,03 Ω @ V<sub>GS</sub> = -10 V) conçu pour des applications de commutation haute efficacité avec une tension de drain-source de 30 V et un courant continu d’environ 5,7 A. Monté en boîtier SO-8.
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Référence fabricant | SI4431BDY-T1-E3 |
| Le type | P-MOSFET |
| Tension drain-source | 30V |
| Courant drain continu | 5.7A |
| Température de fonct. | -55 °C à +150 °C |
| Dissipation de puissance Pd | 0.9W |

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