Le SI4431BDY-T1-E3 est un MOSFET canal P à faible R<sub>DS(on)</sub> (≈ 0,03 Ω @ V<sub>GS</sub> = -10 V) conçu pour des applications de commutation haute efficacité avec une tension de drain-source de 30 V et un courant continu d’environ 5,7 A. Monté en boîtier SO-8.
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Référence fabricant | SI4431BDY-T1-E3 |
| Le type | P-MOSFET |
| Tension drain-source | 30V |
| Courant drain continu | 5.7A |
| Température de fonct. | -55 °C à +150 °C |
| Dissipation de puissance Pd | 0.9W |

Résistance bobinée R50W-1K 5%
Régulateurs De Tension Linéaires 200mA 3.3V XC6206P332MR-G
Condensateur électrolytique SMD 22 µF 25 VCC ±20 % SC1E226M05005VR
Transistor P-MOSFET Smd unipolaire SO8 -30V -5.7A SI4431BDY-T1-E3
Condensateur Électrolytique 20% 1500uF 6.3V
Résistance De Puissance 5% 13R6 50W HSA5013R6J
Résistances Bobinées 5% 4.7Ω 10W CRL10W-4R7
Amplificateur opérationnel DIP8 1MHz OPA277P
Résistance Fixe De Carbone 0.1% 500Ω 1/2W AXIAL H4500RBDA
Interrupteur ON/OFF SPST Vert 20A / 14VDC R13-112B8-02-BBG
Moniteur de batterie lithium-ion 2 cellules I2C MAX17049G+T10

