Transistor P-MOSFET Smd unipolaire SO8 -30V -5.7A SI4431BDY-T1-E3

Transistor P-MOSFET Smd unipolaire SO8 -30V -5.7A SI4431BDY-T1-E3

Dhs 24,00

Fabricant	VISHAY
Reference fabricant	SI4431BDY-T1-E3

Description

Le SI4431BDY-T1-E3 est un MOSFET canal P à faible R<sub>DS(on)</sub> (≈ 0,03 Ω @ V<sub>GS</sub> = -10 V) conçu pour des applications de commutation haute efficacité avec une tension de drain-source de 30 V et un courant continu d’environ 5,7 A. Monté en boîtier SO-8.

Fabricant	VISHAY
Référence fabricant	SI4431BDY-T1-E3
Le type	P-MOSFET
Tension drain-source	30V
Courant drain continu	5.7A
Température de fonct.	-55 °C à +150 °C
Dissipation de puissance Pd	0.9W

4 en stock

Quantity Discounts

Quantity	Price
1 - 50	Dhs 24,00
51 - 100	Dhs 21,60
101 - 200	Dhs 20,40
200 - 1000	Dhs 19,20